Numărul de produs al producătorului:
TSM950N10CW RPG
Product Overview
Producător:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
TSM950N10CW RPG-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 6.5A (Tc) 9W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventar:
14934 Piese Noi Originale În Stoc
12892714
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TSM950N10CW RPG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Taiwan Semiconductor
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
9W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-223
Pachet / Carcasă
TO-261-4, TO-261AA
Numărul de bază al produsului
TSM950
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
TSM950N10CWRPGTR
TSM950N10CWRPGDKR
TSM950N10CWRPGCT
TSM950N10CW RPGTR-DG
TSM950N10CW RPGCT-DG
TSM950N10CW RPGDKR
TSM950N10CW RPGTR
TSM950N10CW RPGDKR-DG
TSM950N10CW RPGCT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
TSM680P06CZ C0G
MOSFET P-CH 60V 18A TO220
TSM300NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN
IRF710S
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
